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1、美國MKS臭氧發(fā)生器
MKS提供各種臭氧發(fā)生器和模塊化輸送系統(tǒng)，可產(chǎn)生超純、可靠的臭氧氣體。在潔凈的半導體環(huán)境中，臭氧與各種前體氣體發(fā)生反應，生成Al2O3、ZrO2、HfO2和La2O3金屬氧化物，從而實現(xiàn)原子層沉積(ALD)和蝕刻(ALE)等薄膜沉積工藝。MKS的發(fā)生器使用6級氣體，能夠產(chǎn)生更高的薄膜密度，從而提高產(chǎn)品產(chǎn)量。光伏和顯示器制造利用半導體最佳實踐，并利用臭氧來增強薄膜屏障，從而提高產(chǎn)品性能和可靠性。SEMOZON®臭氧氣體發(fā)生器和子系統(tǒng)是緊湊型、高濃度、超潔凈臭氧氣體發(fā)生的行業(yè)標準。應用包括原子層沉積(ALD)、原子層蝕刻(ALE)、化學氣相沉積(CVD)和濕法清洗。
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2、美國MKS臭氧發(fā)生器
SEMOZON®AX8415是MKS開發(fā)的最具創(chuàng)新性和多功能的臭氧發(fā)生器。該發(fā)生器采用新穎的架構和專利電池設計，可產(chǎn)生超潔凈、高濃度、高流量的臭氧，將氧氣轉(zhuǎn)化為大于400 g/Nm3的高濃度臭氧，用于半導體、平板顯示器和光伏行業(yè)的前沿應用。
3、美國MKS臭氧發(fā)生器特點
①5°C 2.5 slm時臭氧濃度高達425 g/Nm3或27.1 wt%
②氧氣流量從2.5 slm到50 slm，可實現(xiàn)工藝靈活性
③專利電池設計可產(chǎn)生高濃度臭氧
④添加或不添加氮氣均可操作
⑤閉環(huán)操作可實現(xiàn)更嚴格的過程控制
⑥直接替代MKS SEMOZON AX8407臭氧發(fā)生器
4、美國MKS臭氧發(fā)生器特征
（1）最高濃度的超潔凈臭氧
SEMOZON AX8415的設計技術是該發(fā)生器多功能性的基礎。電子工業(yè)將臭氧用于CVD和ALD薄膜的形成、氧化物生長、光刻膠去除和多種清潔應用。AX8415能夠在添加或不添加氮氣作為摻雜氣體的情況下產(chǎn)生最高濃度的超潔凈臭氧，從而支持所有這些應用。如果特定應用需要，去除臭氧形成中使用的微量氮氣可以消除氮氧化物化合物的形成。
（2）直接替換SEMOZON AX8407
SEMOZON AX8415的獨特功能和優(yōu)勢使其成為行業(yè)領先的SEMOZON AX8407臭氧發(fā)生器（AX8415的先驅(qū)）的直接替代品。AX8415上產(chǎn)生和控制臭氧生成所需的外形尺寸和連接與AX8407完全相同。AX8415的卓越性能可立即適用于所有符合AX8407臭氧發(fā)生器資格的應用。
5、美國MKS臭氧發(fā)生器規(guī)格
①臭氧產(chǎn)量：高達425 g/Nm 3
②流量：2.5-50標準流明
③原料氣：氧氣：6級或更好的O2；氮氣（可選）：100 ppm 5級或更好的N2
④環(huán)境溫度：10-40°C(50-104°F)
⑤標稱電池壓力（交付）：15-45 psig(100-310 kPa)
⑥壓力：將過程壓力保持在20-50 psig
⑦控制接口：前面板控制和遠程操作
⑧冷卻水溫度：5-25°C(41-77°F)
⑨冷卻水過濾：100微米
⑩冷卻水質(zhì)：電阻率≥50kΩ/cm
?最小水流量：9.4升/分鐘（2.5加侖/分鐘）
?電壓要求：208 VAC(±10%)3Ø和GND，無中性線
?頻率：50/60赫茲
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